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J-GLOBAL ID：200903065465085061

半導体装置

Inventor： 齋藤 淳 ,  千崎 一徳 ,  田島 豊 ,  鈴木 直
Applicant, Patent owner： 株式会社ユニシアジェックス
Agent (1)： 広瀬 和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000279498
Publication number (International publication number)：2002093965
Application date： Sep. 14, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の放熱性を高めると共に、製造コストを低減する。【解決手段】 第1の金属板1の表面にフレキシブル基板2を取付けると共に、フレキシブル基板2の表面には第2の金属板3を取付ける。また、第2の金属板3の表面にはIGBT4を取付けると共に、フレキシブル基板2の表面には配線パターンとなる金属箔2Bに接続してゲート抵抗7を取付ける。そして、IGBT4は、その裏面に設けたコレクタ端子を第2の金属板3に接続し、その表面に設けたゲート端子をゲート抵抗7に接続すると共に、エミッタ端子を第1の金属板1に接続する。これにより、IGBT4による熱は、第2の金属板3からフレキシブル基板2を介して第1の金属板1へ伝達し、放熱することができる。

Claim (excerpt)：

第1の金属板上に有機薄型絶縁層によるフレキシブル基板を設け、該フレキシブル基板上に第2の金属板を設け、該第2の金属板の表面には該第2の金属板と電気的に接続した状態で大電力を扱う半導体素子を実装し、かつ前記第1の金属板を高電位端子または低電位端子に接続すると共に、前記第2の金属板を高電位端子、低電位端子、出力端子のいずれかに接続する構成としてなる半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/36 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/36 D ,  H01L 25/04 C

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BC05 ,  5F036BC06 ,  5F036BC23