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J-GLOBAL ID：200903065465922320

半導体記憶装置

Inventor： 椋木 敏夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999339200
Publication number (International publication number)：2001156187
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 過消去の問題を回避し、スプリット型の利点を残しながら、セル面積の増加を最小限に抑える。【解決手段】 MOSトランジスタのチャネル上に、電位供給源に接続されたコントロールゲート20と、周辺と電気的に絶縁され、コントロールゲート20とウエハ面方向に隣接している第1のフローティングゲート1及び第2のフローティングゲート6と、コントロールゲート20下の半導体の基板22中に、半導体の基板22と伝導形の異なる拡散層23を有し、第1のフローティングゲート1と第2のフローティングゲート6への電子の注入・除去によってデータを記憶することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタのチャネル上に、電位供給源に接続されたコントロールゲートと、周辺と電気的に絶縁され、かつ前記コントロールゲートとウエハ面方向に隣接している第1のフローティングゲートと、周辺と電気的に絶縁され、かつ前記コントロールゲートとウエハ面方向に隣接している第2のフローティングゲートと、前記コントロールゲート下の半導体基板中に、前記半導体基板と伝導形の異なる拡散領域を有し、前記第1のフローティングゲートおよび第2のフローティングゲートへの電子の注入・除去によってデータを記憶する半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

F-Term (24)：

5F001AA34 ,  5F001AB03 ,  5F001AD13 ,  5F001AD60 ,  5F001AD62 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F083EP09 ,  5F083EP13 ,  5F083EP24 ,  5F083EP70 ,  5F083ER09 ,  5F083ER15 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F101BA16 ,  5F101BB04 ,  5F101BD03 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07