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J-GLOBAL ID：200903065479443734

延長ゲートFETセンサ

Inventor： 江刺 正喜
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997004039
Publication number (International publication number)：1997218172
Application date： Feb. 21, 1988
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 水素または水素化合物検知用の高感度FETセンサを提供する。【解決手段】 基板(6)上に、水素または水素化合物の分解能を有する金属からなり、ソース・ドレイン電極部の外側に延長された、露出表面を持つゲート電極(13)部と、この延長されたゲート電極(13)部に配設されたマイクロヒータ(14)による加熱手段とが備えられる。

Claim (excerpt)：

基板上に、水素または水素化合物の分解能を有する金属からなり、ソース・ドレイン電極部の外側に延長された、露出表面を持つゲート電極部と、この延長されたゲート電極部に配設されたマイクロヒータ部による加熱手段とが備えられていることを特徴とする水素または水素化合物検知用の延長ゲートFETセンサ。