Pat
J-GLOBAL ID：200903065493900285
構造体の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山下 穣平
, 志村 博
, 永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006128357
Publication number (International publication number)：2007299492
Application date： May. 02, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：
【課題】低温度の熱処理により、L10構造の微細な結晶粒から構成される構造体の製造方法、及びこの構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、磁性体Aが非磁性体中に分散された第1層を形成する工程と、該第1層上に磁性体Bを含む第2層を形成する工程と、前記の第2層を形成する工程の間、又は前記の第2層を形成する工程の後に、前記磁性体Aと前記磁性体Bとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
磁性体が非磁性体中に分散された構造体の製造方法であって、
磁性体Aが非磁性体中に分散された第1層を形成する工程と、
該第1層上に磁性体Bを含む第2層を形成する工程と、
前記の第2層を形成する工程の間、又は前記の第2層を形成する工程の後に、前記磁性体Aと前記磁性体Bとが、繋がり、且つ規則合金化するように、加熱する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (15)：
5D006BB01
, 5D006BB06
, 5D006BB07
, 5D006DA03
, 5D006EA03
, 5D006FA00
, 5D006FA09
, 5D112AA05
, 5D112AA24
, 5D112BB02
, 5D112BB05
, 5D112BB06
, 5D112FA04
, 5D112GA09
, 5D112GB01
Cited by applicant (2)
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ナノグラニュラー薄膜および磁気記録媒体
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-132996
Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
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特許第3507892号公報
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