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J-GLOBAL ID：200903065500714077
光デバイスの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276603
Publication number (International publication number)：1994104528
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】再成長界面近傍の結晶品質の飛躍的向上を図り、任意構造の光デバイスの製造に適用できる再成長技術である。【構成】半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する。第1のエピタキシャル結晶成長工程と、このエピタキシャル成長層の上にグレーティングなどの加工を行う工程と、超格子層などの第2のエピタキシャル結晶成長工程と、この第2のエピタキシャル結晶成長層をサーマルエッチングなどで剥離する工程と、第3のエピタキシャル結晶成長する工程とを含む。第2のエピタキシャル結晶成長工程とこの層をサーマルエッチングなどで剥離する工程とにより、ゲッタリング効果で再成長界面近傍の酸素濃度103が飛躍的に減少する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する光デバイスの製造方法において、第1のエピタキシャル結晶成長工程と、該エピタキシャル成長層の上に加工を行う工程と、第2のエピタキシャル結晶成長する工程と、該第2のエピタキシャル結晶成長層を剥離する工程と、第3のエピタキシャル結晶成長する工程とを含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
IPC (2)：
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