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J-GLOBAL ID:200903065502361767
固体撮像素子とその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
尾川 秀昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992280758
Publication number (International publication number):1994112453
Application date: Sep. 25, 1992
Publication date: Apr. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 固体撮像素子の受光素子の界面準位を低くし且つスミアを小さくする。【構成】 表面を覆うプラズマシリコン窒化膜のシリコンの窒素に対する組成比を化学量論的に安定な値0.75よりも小さく、即ち窒素リッチにする。【効果】 アニールにより水素の脱離可能なN-H結合が増えるので、水素により半導体基板表面のダングリングボンドを充分にターミートすることができ、界面準位を低くできる。従って、暗電流を小さくできる。
Claim (excerpt):
各画素を成す受光素子上及び遮光膜上をプラズマシリコン窒化膜により保護してなる固体撮像素子において、プラズマシリコン窒化膜のシリコンの窒素に対する組成比が0.75よりも小さいことを特徴とする固体撮像素子
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-200367
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特開昭57-035327
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特開平2-162773
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