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J-GLOBAL ID：200903065502814389
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
南野 貞男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992253424
Publication number (International publication number)：1993206468
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 素子面積を小さくしても焼損が生じにくく、その特性が均一化できる構造の薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタを歩留まりを高く製造する製造方法を提供する。【構成】 薄膜トランジスタは、絶縁性基板(1)と、前記絶縁性基板(1)上に形成された熱伝導率が前記絶縁性基板よりも大きな熱導伝層(2)と、前記熱導伝層(2)の上に形成された半導体活性領域の島状多結晶シリコン層(6)と、前記島状多結晶シリコン層の表面に絶縁層を介して形成されたゲート電極(7)と、前記半導体活性領域の島状多結晶シリコン層(6)に形成されたソース電極およびドレイン電極とから構成される。島状半導体活性領域から発生する熱、また、製造工程において加えられる熱は、絶縁性基板(1)上に形成された熱導伝層(2)内を絶縁性基板(1)と平行な方向に伝達されて放熱される。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された熱伝導率が前記絶縁性基板よりも大きな熱導伝層と、前記熱導伝層の上に形成された半導体活性領域の島状多結晶シリコン層と、前記島状多結晶シリコン層の表面に絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記半導体活性領域の島状多結晶シリコン層に形成されたソース領域およびドレイン領域とから構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
Cited by examiner (6)
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