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J-GLOBAL ID：200903065509162611

半導体発光素子

Inventor： 矢野 義彦
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204432
Publication number (International publication number)：2000022205
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 効率が改善され、動作電圧が低く、設計の自由度が大きく、しかも信頼性の増大した新規の改良された半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に、少なくとも無機物層4とホール輸送性の有機物層5が積層された構造体を有し、前記無機物層4は有ウルツァイト型結晶構造を有する酸化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する硫化物膜である半導体発光素子とした。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも無機物層とホール輸送性の有機物層が積層された構造体を有し、前記無機物層は有ウルツァイト型結晶構造を有する酸化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物膜および/またはウルツァイト型結晶構造を有する硫化物膜である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/30

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

F-Term (5)：

5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA45 ,  5F041CA46 ,  5F073CA24