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J-GLOBAL ID：200903065509168296
電界効果薄膜型トランジスタ素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993183788
Publication number (International publication number)：1995045833
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの移動特性を低下させることなく、かつパーティクルの発生を防止しながら、活性層であるアモルファスシリコン(Si)膜の成膜速度を向上させる。【構成】 ゲート絶縁膜13と接する側のアモルファスSi膜は、低デューティー比あるいは低電力の間欠的な高周波放電により、高移動度特性のアモルファスSi膜31aとして形成し、その成膜後、高パワー・高デューティー比の条件で間欠的な高周波放電により、高成膜速度でアモルファスSi膜31a上にアモルファスSi膜31bを形成する。
Claim (excerpt)：
下層成膜工程と上層成膜工程とを有し、絶縁性基板のゲート電極上にゲート絶縁膜を介してアモルファスシリコン膜を形成する電界効果型薄膜トランジスタ素子の製造方法であって、アモルファスシリコン膜は、ゲート絶縁膜上に成膜される膜厚15nm以上の下層と、該下層上に成膜される上層との2層構造であり、下層成膜工程は、成膜用原料ガスに高周波による放電を連続的に作用させて、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜の下層を成膜する処理であり、上層成膜工程は、下層のアモルファスシリコン膜の成膜後、成膜用原料ガスに高周波電力による放電を間欠的に作用させて、アモルファスシリコン膜の下層上にアモルファスシリコン膜の上層を成膜する処理であることを特徴とする電界効果型薄膜トランジスタ素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
