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J-GLOBAL ID：200903065514749426

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： ラジェシュ クマール ,  山本 剛 ,  小島 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260211
Publication number (International publication number)：2003069041
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ソース領域とゲート領域との間における耐圧低下、リーク発生を防止し、耐圧の向上を図る。【解決手段】 PNジャンクションが形成されるN+型ソース領域5と第1ゲート領域3の間に、不純物濃度が低くされた電界緩和領域4を設ける。これにより、PNジャンクションに形成される電界を緩和することができ、炭化珪素半導体装置の耐圧を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、前記基板(1)上に形成され、前記基板(1)よりも低濃度とされた炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)と、前記ドリフト層(2)の表面に形成された第2導電型の第1ゲート領域(3)と、前記第1ゲート領域(3)の表面に形成された第1導電型の第1電界緩和領域(4)と、前記第1電界緩和領域(4)の上に形成され、前記第1電界緩和領域(4)よりも高濃度な炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(5)と、前記ソース領域(5)、前記第1電界緩和領域(4)および前記第1ゲート領域(3)を貫通し、前記ドリフト層(2)に達するトレンチ(6)と、前記トレンチ(6)の内壁側面に形成された、炭化珪素からなる第1導電型のチャネル層(7)と、前記トレンチ(6)内において、前記チャネル層(7)の表面に形成された第2ゲート領域(8)と、前記第1ゲート領域(3)と電気的に接続された第1ゲート電極(13)と、前記第2ゲート領域(8)と電気的に接続された第2ゲート電極(9)と、前記ソース領域(5)と電気的に接続されたソース電極(10)と、前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とを有したJ-FETが備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 C

F-Term (9)：

5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC05 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01