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J-GLOBAL ID：200903065531150066

マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法

Inventor： 吉村 和記
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002214728
Publication number (International publication number)：2004053542
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ及び水素濃度測定方法を提供する。【解決手段】マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、(1)マグネシウム・ニッケル合金薄膜の組成がMgNix(0.1<x<0.6)である、(2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、(3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、(4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、ことを特徴とする水素センサ材料、当該水素センサ材料を用いた水素濃度の計測方法、及び水素の検知方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた水素センサ材料であって、 (1)マグネシウム・ニッケル合金薄膜の組成がMgNix(0.1<x<0.6)である、 (2)上記薄膜に接して触媒層が形成されている、 (3)室温(20°C付近)で水素と反応して電気抵抗及び光学的性質が変化する、 (4)上記電気抵抗又は光学的性質の変化に基づいて水素を検知する、 ことを特徴とする水素センサ材料。

IPC (3)：

G01N27/12 ,  G01N21/59 ,  G01N21/75

FI (4)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  G01N21/59 Z ,  G01N21/75 Z

F-Term (36)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC09 ,  2G046BF05 ,  2G046BG04 ,  2G046BH02 ,  2G046BH03 ,  2G046DC13 ,  2G046EB01 ,  2G046FB00 ,  2G046FE20 ,  2G046FE25 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G054AA01 ,  2G054CA04 ,  2G054EA04 ,  2G054EB01 ,  2G054GA05 ,  2G054GE06 ,  2G054GE07 ,  2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC20 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059KK10 ,  2G059MM01