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J-GLOBAL ID：200903065532495083

半導体装置製造のための選択的酸化

Inventor： ボヤン リン ,  ミン フワン ,  丹生谷 貴行 ,  ソング シー.パーク
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998292302
Publication number (International publication number)：1999238702
Application date： Oct. 14, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ある材料(M1 )を、別の材料(M2 )を実質的に酸化することなく、酸化する選択的酸化方法を提供する。【解決手段】 第一構成部(図1の構成部108及び(又は)構成部104、及び図3の構成部314)を、第二構成部(図1の構成部110及び112、及び図3の構成部310及び312)を実質的に酸化しないように維持しながら、酸化する方法において、第一及び第二構成部を、酸素含有ガス及び別の水素含有ガスに曝すことからなる方法。好ましくは、酸素含有ガスは、O2 、N2 O、CO2 、H2 O、及びそれらの組合せからなる群から選択したガスからなり、水素含有ガスはH2 からなる。第一構成部は多結晶質珪素、酸化珪素、又は誘電体材料からなるのが好ましく、第二構成部はタングステンからなるのが好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体基体に形成された電気装置を製造する方法において、前記半導体基体上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に珪素含有構造体を形成し、前記珪素含有構造体上に伝導性構造体を形成し、そして前記絶縁層、前記珪素含有構造体、及び前記伝導性構造体へ酸素含有ガス及び別個の水素含有ガスを導入することにより、前記伝導性構造体を実質的に酸化しないように維持しながら、前記絶縁層及び前記珪素含有構造体の一部分を酸化する、ことからなる上記製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/32 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/283 D ,  H01L 21/316 Z ,  H01L 21/32 ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G