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J-GLOBAL ID：200903065532535735

共鳴電子移送素子およびその製造方法

Inventor： 平井 義彦 ,  安井 十郎 ,  照井 康明 ,  森本 廉 ,  和田 敦夫 ,  岡田 健治 ,  丹羽 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992226863
Publication number (International publication number)：1993198827
Application date： Aug. 26, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子効果を利用して高速の信号伝搬素子を提供する【構成】 量子細線12と量子ドット10と量子ドット22を極く薄い絶縁領域等のポテンシャル障壁13、14を介して結合し、量子細線12と量子ドット10の内部電位を制御電極15で、量子細線22と量子ドット10の内部電位を制御電極25で制御する構成とする。各量子細線及び量子ドット内に形成された離散的なエネルギー準位は、電圧印加をされると変動し、量子ドットのエネルギー準位が、相隣あう入力細線のフェルミ準位を横切ると、共鳴トンネル効果により次段の構成要素へ電子移送が起こる。内部電位の制御電極15、25によって、信号電子は、双方の量子細線間で移送される。

Claim (excerpt)：

1次元量子細線と、前記1次元量子細線より十分に高い基底量子化準位を有する0次元量子ドットとを、トネリング効果を生じ得るポテンシャル障壁を介して交互に接続し、前記1次元量子細線と0次元量子ドットを一対として内部電位を制御する電極を具備する構成を構成要素とし、前記構成要素をトネリング効果を生じ得るポテンシャル障壁を複数個直列に接続したことを特徴とする共鳴電子移送素子。

IPC (2)：

H01L 29/804 ,  H01L 29/68