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J-GLOBAL ID：200903065540499756

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法

Inventor：
市川 満

About 市川 満

, 
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
株式会社カネカ

About 株式会社カネカ


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005138990
Publication number (International publication number)：2006319068
Application date： May. 11, 2005
Publication date： Nov. 24, 2006
Summary：
【課題】各薄膜光電変換ユニットで発生する短絡電流密度を高い値でバランスさせることで、変換効率の高い多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続されたシリコン系薄膜光電変換ユニットを備えた多接合型シリコン系薄膜光電変換装置であって、前記中間層はプラズマCVD法で製膜された1以上のn型μc-Si層と2以上の導電性SiOX層とからなり、前記n型μc-Si層の両方の面が前記導電性SiOX層と接するように配置された多層膜であることを特徴とする多接合型シリコン系薄膜光電変換装置。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
中間層を介して直列接続されたシリコン系薄膜光電変換ユニットを備えた多接合型シリコン系薄膜光電変換装置であって、該中間層はプラズマCVD法で製膜された1以上のn型μc-Si層と2以上の導電性SiOX層とからなり、該n型μc-Si層の両方の面が該導電性SiOX層と接するように配置された多層膜であることを特徴とする多接合型シリコン系薄膜光電変換装置。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 W
F-Term (11)：
5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA18 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 積層型太陽電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-122827   Applicant：シャープ株式会社
Cited by examiner (5)
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