Pat

J-GLOBAL ID：200903065549769764

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： 佐藤 健一郎 ,  水谷 一良
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000001894
Publication number (International publication number)：2001194787
Application date： Jan. 07, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に室温保存性及び疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)特定の構造で表される酸を発生する化合物、(B)特定のシリコン含有繰り返し単位と、特定の構造の繰り返し単位のうち少なくともいずれかの繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性樹脂、(C)特定の溶剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(B)一般式(I)で表される繰り返し単位と、一般式(II)又は一般式(III)で表される繰り返し単位のうち少なくともいずれかの繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(C)下記溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群から選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルアルコキシレートB群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネートC群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基又は塩素原子を表す。Lは単結合または2価の連結基を表す。R'、R''及びR'''はそれぞれ独立に直鎖もしくは分岐のアルキル基、フェニル基、トリアルキルシリル基またはトリアルキルシリルオキシ基を表す。【化2】式(II)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基または塩素原子を表す。M1は単結合又はアルキレン基、置換アルキレン基、アリーレン基、置換アリーレン基、エステル基、カルボニル基、アミド基、エーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレア基からなる群から選択される単独もしくは2つ以上の基の組み合わせからなる2価の連結基を表す。Qは下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基を表す。【化3】一般式(pI)〜(pVI)中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基またはsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、あるいはR15及びR16のうちの少なくともいずれか一方は脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19及び21のうちの少なくともいずれか一方は炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。【化4】一般式(III)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基又は塩素原子を表す。M2は、単結合又はアルキレン基、置換アルキレン基、橋かけ構造を有していてもよいシクロアルキレン基、アリーレン基、置換アリーレン基、エステル基、カルボニル基、アミド基、エーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレア基からなる群から選択される単独もしくは2つ以上の基の組み合わせからなる2価の連結基を表す。Raは、水素原子、または置換基を有していてもよい、直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。Wは、結合する炭素原子と共にラクトン構造を形成するのに必要な原子群を表す。

IPC (13)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/101 ,  C08K 5/109 ,  C08K 5/151 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (13)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/101 ,  C08K 5/109 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  C08K 5/15 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (54)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB08 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J002BG031 ,  4J002BG071 ,  4J002BQ001 ,  4J002EB116 ,  4J002ED027 ,  4J002EH007 ,  4J002EH037 ,  4J002EL067 ,  4J002EU186 ,  4J002EU236 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EV306 ,  4J002FD146 ,  4J002FD156 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BC02Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38