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J-GLOBAL ID：200903065550872269

半導体の樹脂封止成形方法

Inventor： 松村 恵三 ,  剣持 加津衛
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248783
Publication number (International publication number)：1993090314
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 IC,LSI等の半導体素子の成形方法において、非注入方式による封止成形品に対して、品質の向上を図ることができる半導体の樹脂封止成形方法を提供することを目的とする。【構成】 上パッケージ用金型1と下パッケージ用金型2で各々成形温度に達しない温度で加圧成形して、上パッケージ部5、下パッケージ部6を形成後、型より離形させずに間に半導体素子10を狭持した後、成形温度で封止成形することにより、ゲート・ランナレスによる樹脂の利用率の向上、薄型、大面積パッケージの成形が可能であり、かつワイヤ倒れ、ボイドを防止することが可能となる。

Claim (excerpt)：

リードフレームを挟んで上下に対向するパッケージ部を、それぞれ成形温度に達しない温度に加熱した上パッケージ用の金型と下パッケージ用の金型で予備加圧成形後、前記上パッケージ用の金型と前記下パッケージ用金型のパッケージ部を金型より離型させずに、前記上パッケージ用金型と前記下パッケージ用金型の間に、半導体素子を上部に載置したリードフレームを挟持してから後、前記金型を成形温度に加熱することにより半導体素子を封止する半導体の樹脂封止成形方法。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:34