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J-GLOBAL ID：200903065554422837
誘電体キャパシタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311152
Publication number (International publication number)：1997148528
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 強誘電キュリー温度が高く、高温においても大きな残留分極を保持可能であり、かつ下部電極の微細加工が可能な誘電体キャパシタを提供すること。【解決手段】 表面に六方晶系の(0001)面が現れている導電性基板と、この導電性基板上に(111)面方位にエピタキシャル成長したペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜とを具備し、導電性基板表面の六方晶系のa軸の格子定数as (hcp)と、ペロブスカイト型結晶のa軸長で表される誘電体材料本来の格子定数ad とが下記式に示す関係を満たすことを特徴とする。1.002≦ad /(as (hcp)×21/2 )≦1.030
Claim (excerpt)：
表面に六方晶系の(0001)面が現れている導電性基板と、この導電性基板上に(111)面方位にエピタキシャル成長したペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜とを具備し、前記導電性基板表面の六方晶系のa軸の格子定数as (hcp)と、前記ペロブスカイト型結晶のa軸長で表される前記誘電体材料本来の格子定数ad とが下記式に示す関係を満たすことを特徴とする誘電体キャパシタ。1.002≦ad /(as (hcp)×21/2 )≦1.030
IPC (9)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C30B 29/06
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/04 C
, C30B 29/06 C
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
