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J-GLOBAL ID：200903065555690924

引出し電極およびイオンビーム処理装置

Inventor： 土屋 一俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177766
Publication number (International publication number)：2001006590
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】変動の少ない良好なイオンビームを引出すために、複雑な構造を取らずに熱によるたわみ変形を抑制できる薄い引出し電極を提供すること。【解決手段】異なる熱膨張率を有する多層の導体板により一枚の引出し電極板を形成し、熱膨張率の大きな導体を凹側に、熱膨張率の小さな導体を凸側になるように、該電極板に曲率をもたせてイオン源に取り付ける。【効果】上記引出し電極は熱によるたわみ変形を電極自身が抑制する機能を有し、熱変形によるイオンビームの変動が少ない良好なイオンビーム特性を得ることができる。また、本引出し電極の変形は熱的な過渡状態や加熱量に依存性が少ないことから、本電極を使用したイオンビーム処理装置は、該引出し電極が熱的安定状態に達するのを待たずに基板処理を行うことができる。

Claim (excerpt)：

イオン源の開口部に配設され、該イオン源からイオンビームを引き出す一枚もしくは複数枚の電極板からなる引出し電極において、少なくとも一枚の電極板を異なる熱膨張率を持つ二種類の導体から構成し一体としたことを特徴とする引出し電極。

IPC (4)：

H01J 37/08 ,  C23C 14/46 ,  G11B 5/31 ,  H01J 27/08

FI (4)：

H01J 37/08 ,  C23C 14/46 B ,  G11B 5/31 M ,  H01J 27/08

F-Term (5)：

4K029DC37 ,  5C030DD05 ,  5C030DE04 ,  5D033DA08 ,  5D033DA21