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J-GLOBAL ID：200903065558295236
薄膜多層配線基板の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020097
Publication number (International publication number)：1993218646
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 配線層の厚さの制御が容易な薄膜多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 導体パターン2の形成された絶縁基板1に被着された絶縁層3にヴィアホール4を形成し、絶縁層上面及びヴィアホール内部に保護層6を形成し、その上に銅導体層7を配線層に必要な厚みだけ形成し、その上に銅エッチングによってエッチングされない金属層8を形成し、その後ヴィアホール埋め込みのため電解銅めっき9を行い表面を平坦化し、しかる後、金属層8が露出するまで銅エッチングを行い、導体パターンを形成するための配線層を形成する。
Claim (excerpt)：
導体パターンの形成された絶縁基板に被着された絶縁層にヴィアホールを形成し、絶縁層上面及びヴィアホール内部に保護層を形成し、その上に銅導体層を配線層に必要な厚みだけ形成し、その上に銅エッチングによってエッチングされない金属層を形成し、その後ヴィアホール埋め込みのため電解銅めっきを行い表面を平坦化し、しかる後、金属層が露出するまで銅エッチングを行い、導体パターンを形成するための配線層を形成することを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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