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J-GLOBAL ID：200903065560931433

半導体発光素子

Inventor： 黒部 篤 ,  手塚 勉 ,  定政 哲雄 ,  櫛部 光弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018980
Publication number (International publication number)：1993055713
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 自然放出光の発振共振器モードに結合する割合を十分に高めることができ、より高効率及び低しきい値のマイクロ共振器レーザを実現することを目的とする。【構成】 屈折率の大きな半導体膜と屈折率の小さな半導体膜を交互に複数個積層した第1及び第2の分布ブラッグ反射器20,40との間に、量子井戸活性層31からなるダブルヘテロ構造部が形成されたマイクロ共振器レーザにおいて、ダブルヘテロ構造部に対し基板10と反対側の分布ブラッグ反射器40を、ダブルヘテロ構造部の発光領域上で該ダブルヘテロ構造部と反対側に凸状に形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

屈折率の大きな半導体膜と屈折率の小さな半導体膜を交互に複数個積層した第1の分布ブラッグ反射器と、該反射器と同様な構成の第2の分布ブラッグ反射器との間に、半導体のダブルヘテロ構造部が形成された半導体発光素子において、前記分布ブラッグ反射器の少なくとも一方を、前記ダブルヘテロ構造部の発光領域上で該ダブルヘテロ構造部と反対側に凸状に形成してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-002395
  
• 特開昭59-036988