Pat

J-GLOBAL ID：200903065565512706

電子素子およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法

Inventor： 文 範基
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031012
Publication number (International publication number)：1999233723
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 機能性酸化膜あるいは誘電体膜の特性を十分に発揮することができる電子素子およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極としてTaN膜3を成膜した後、300〜350°Cの温度でオゾンアニールを行うことによりその表面を酸化して膜厚が5〜10nmのTa-O-N膜4を形成する。このTa-O-N膜4上にTa2 O5 膜5を成膜し、さらに300〜500°Cの温度でオゾンアニールを行ってTa2 O5 膜5の絶縁特性を改善した後、上部電極としてAl電極6を形成してMIM型誘電体キャパシタを形成する。

Claim (excerpt)：

TaNを主成分とする材料からなる導電層と、上記導電層上の少なくともTaとNとを含む酸化膜と、上記少なくともTaとNとを含む酸化膜上の機能性酸化膜とを有することを特徴とする電子素子。

IPC (10)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01L 41/09

FI (8)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA D ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/08 L