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J-GLOBAL ID：200903065566335336

レーザダイオード

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： イーストマン・コダックジャパン株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036745
Publication number (International publication number)：1993235470
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板に対して垂直方向の放射角度が小さく、かつ低しきい値電流を有する高効率のレーザダイオードを提供する。【構成】 n型のAl0.6 Ga0.4 As低屈折率層4をn型のAl0.3 Ga0.7Asクラッド層3,5中に挿入し、p型のAl0.6 Ga0.4 As低屈折率層をp型のAl0.3 Ga0.7 Asクラッド層9,11中に挿入して光導波路中の電界分布を制御するとともに、In0.2 Ga0.8 As歪み量子井戸層7を活性層としてGaAs基板1を用いてGaAsバッファ層2、GaAsキャップ層12を設け、発振光のエネルギー(1.265ev)よりGaAsのエネルギーギャップ(1.424ev)を大きくとり、これらの層によるバンド間吸収を防止して低しきい値電流を実現する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1層の屈折率の高い層より成る光導波領域を少なくとも1層の屈折率の低い層を含む単層または多層より成るクラッド領域により両側から挟んだ多層構造を有し、光を閉じ込めるための該クラッド領域中に少なくとも1層の屈折率のより低い層を挿入したレーザダイオードにおいて、該クラッド領域に隣接する上部電極層および下部バッファ層のエネルギーギャップよりレーザダイオードの発振光のエネルギーの方が低いことを特徴とするレーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-222488
  
• 特開平3-222385
  
• 特開昭58-034987