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J-GLOBAL ID:200903065570016156

未加硫ゴム加熱装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶 良之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997343151
Publication number (International publication number):1999170271
Application date: Dec. 12, 1997
Publication date: Jun. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 モールドで拘束して加熱するばあいに、磁場がモールドよりも積層体の中空部分の表層を主に通り、形状および大きさによらず積層体を効率よく、均一に加熱できる未加硫ゴム加熱装置を提供する。【解決手段】 中央に孔13a、14aを有する2枚の磁性板13、14の間に未加硫ゴム11と金属板12を交互に積層してなる中空柱状の積層体20を、少なくともその外周を拘束するモールド15、16、17内に収納し、積層方向に交番磁界を浸透させ、積層体内部の金属板12にジュール熱を発生させることによって未加硫ゴム11の加熱を行う装置。積層体20から離れた位置に設置された誘導コイル1を設け、誘導コイル1で発生した磁界が磁場回路手段2により、磁性板13、14の孔13a、14aの内側から磁性板13、14に出入りして前記積層体20の中空側表層を通るように構成されている。
Claim (excerpt):
中央に孔を有する2枚の磁性板の間に未加硫ゴムと金属板を交互に積層してなる中空柱状の積層体を、少なくともその外周を拘束するモールド内に収納し、積層方向に交番磁界を浸透させ、積層体内部の金属板にジュール熱を発生させることによって未加硫ゴムの加熱を行う装置であって、積層体から離れた位置に設置された誘導コイルと、該誘導コイルで発生した磁界が前記磁性板の孔の内側から磁性板に出入りして前記積層体の中空側表層を通るように構成されてなる磁場回路手段を設けてなることを特徴とする未加硫ゴム加熱装置。
IPC (4):
B29C 35/02 ,  B29K 21:00 ,  B29K105:24 ,  B29L 9:00

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