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J-GLOBAL ID：200903065575573177

NH4系CMP廃液の処理方法

Inventor： 山田 登 ,  榎本 俊
Applicant, Patent owner： 栗田工業株式会社
Agent (1)： 柳原 成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996272713
Publication number (International publication number)：1998118665
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】 アンモニア水溶液にSiO2微粒子が懸濁したCMP(Chemical Mechanical Polishing)廃液を処理するに際し、脱水性および剥離性に優れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくい大形のフロックを形成させる。【解決手段】 半導体製造工程の研磨工程などから排出されるNH4系CMP廃液を第1凝集槽1に導入し、カチオン系高分子凝集剤7を添加して攪拌機9により急速攪拌して反応させ、第1の凝集処理を行う。第2凝集槽2では無機系凝集剤10を添加し、攪拌機12により急速攪拌して反応させ、第2の凝集処理を行う。フロック形成槽3では攪拌機13により緩速攪拌してフロックを生長させ、大形のフロックを形成させる。沈殿槽4で固液分離した分離液は処理水として系外に排出し、分離汚泥は脱水装置5で脱水処理する。

Claim (excerpt)：

アンモニアを含むCMP廃液にカチオン系高分子凝集剤を添加し攪拌して第1の凝集処理を行った後、無機系凝集剤を添加し攪拌して第2の凝集処理を行い、フロックを形成させることを特徴とするNH4系CMP廃液の処理方法。

IPC (6)：

C02F 1/60 ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 21/01 107 ,  C02F 1/52 ,  C02F 1/56 ,  C02F 1/58 CDJ

FI (6)：

C02F 1/60 ,  B01D 21/01 102 ,  B01D 21/01 107 A ,  C02F 1/52 K ,  C02F 1/56 K ,  C02F 1/58 CDJ P