Pat

J-GLOBAL ID：200903065589147715

アッシング方法

Inventor： 佐藤 仁昭 ,  金清 任光 ,  光田 明彦 ,  清水 文男 ,  武居 秀則 ,  縄田 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994046822
Publication number (International publication number)：1995263410
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】バリアメタル、下地絶縁膜に対し反応性の無いガスを使用し、加工形状に影響を与えることなく、高い防食性を有するアッシング方法。【構成】図1に示す装置により、酸素+アルゴン+水素ガスによりバリアメタル17、下地絶縁膜18に影響を与えることなくアッシングを行う。

Claim (excerpt)：

半導体装置を処理する処理室、該処理室に処理ガスを流量制御し導入する機構、前記処理室を所定の真空圧に制御出来、且つプラズマ発生機構を有する半導体製造装置において、前記処理ガスとして酸素、水素、不活性ガス(He,Ar,Xe)を使用することを特徴とするアッシング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-077125
  
• 特開平4-087322
  
• 特開平3-068710