スイツチ半導体集積回路及び通信端末装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田辺恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995227038
Publication number (International publication number)：1997055682
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】低挿入損失と高アイソレーシヨンを両立するスイツチの回路は大型になる。【解決手段】高周波信号用のスイツチをリング状に配置される第1〜第4の信号経路にシリーズに接続される4つの電界効果トランジスタ段と、2つの信号線路を挟んで向き合う信号線路にシヤントに接続された2つの電界効果トランジスタ段とによつて構成する。このとき4つの信号線路のうち対向する位置にある信号線路に対してには同じ制御電圧を印加し、隣合う信号線路には互いに相補的な制御電圧を印加し、またシヤントの位置にある電界効果トランジスタ段にはそれぞれ相補的な制御電圧を印加する。これにより信号線路に対してシヤントの位置に接続される電界効果トランジスタ段の数及びこれらの制御に必要な制御線の数を従来に比して削減できる。

Claim (excerpt)：

第1の信号端子と第2の信号端子とを連絡する第1の信号経路に対してシリーズに接続された第1の電界効果トランジスタ段と、上記第2の信号端子と第3の信号端子とを連絡する第2の信号経路に対してシリーズに接続された第2の電界効果トランジスタ段と、上記第3の信号端子と第4の信号端子とを連絡する第3の信号経路に対してシリーズに接続された第3の電界効果トランジスタ段と、上記第4の信号端子と上記第1の信号端子とを連絡する第4の信号経路に対してシリーズに接続された第4の電界効果トランジスタ段と、上記第1の信号端子と基準電位との間に接続された第5の電界効果トランジスタ段と、上記第3の信号端子と上記基準電位との間に接続された第6の電界効果トランジスタ段と、第1の制御電圧を上記第1及び第3の電界効果トランジスタ段の制御端子に印加する第1の制御線と、上記第1の制御電圧に対して相補的な制御電圧を上記第2及び第4の電界効果トランジスタ段の制御端子に印加する第2の制御線と、第2の制御電圧を上記第5の電界効果トランジスタ段の制御端子に印加する第3の制御線と、上記第2の制御電圧に対して相補的な制御電圧を上記第6の電界効果トランジスタ段の制御端子に印加する第4の制御線とを具えることを特徴とするスイツチ半導体集積回路。

IPC (4)：

H04B 1/58 , H01P 1/15 , H03H 11/02 , H03K 17/693

FI (4)：

H04B 1/58 , H01P 1/15 , H03H 11/02 Z , H03K 17/693 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

2端子対複数共通端子マトリクススイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-152872 Applicant：松下電器産業株式会社

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