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J-GLOBAL ID：200903065597943121

多結晶シリコン膜およびその製造方法

Inventor： 赤松 孝義 ,  野中 敏央 ,  野中 晴支
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069511
Publication number (International publication number)：1995081919
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Mar. 28, 1995
Summary：

【要約】【構成】可撓性基体、プラスチック基体または融点が290°C以下の基体上に形成された多結晶シリコン膜および、30MHz以上300MHz以下の周波数の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより多結晶シリコン膜を製造する方法。【効果】本発明によると、融点の低い材料の上にも、多結晶シリコン膜を作製できるので、安価な耐熱性の低いプラスチック材料を基体として使用することができ、安価な太陽電池、薄膜トランジスタやイメージセンサなどを提供することができる。また、耐熱性の高い基体を用いる場合においても、基体の温度を低く保ちつつ膜を形成することができるため、熱膨張率の差や熱収縮などによる歪みや膜の剥離という問題を生じにくくすることができる。

Claim (excerpt)：

可撓性基体上に形成されたことを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  B01J 19/08