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J-GLOBAL ID：200903065599910689
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282404
Publication number (International publication number)：1994112221
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置のソース・ドレイン部のコンタクト内の配線のカバレッジを向上する。【構成】 ソース・ドレイン領域の上に、Ti5,W6などの高融点金属からなる台座をゲート電極の高さと同じになるように形成する。ソース・ドレイン領域の上に高融点金属からなる3台座を形成したことにより、ソース・ドレイン部とゲート電極部のコンタクト孔の深さが同一となり、コンタクトのドライエッチング条件が容易となり、かつソース・ドレイン部のコンタクトのカバレッジが向上する。
Claim (excerpt)：
MOS型半導体装置のソース或いはドレインと電気的接続をとるコンタクト部を有する半導体装置であって、コンタクト部は、高融点金属からなる台座を含むものであり、台座は、ソース・ドレイン上にゲート電極と同じ高さに形成され、ゲート電極のコンタクト孔とソース或いはドレインのコンタクト孔の深さを同じに設定するものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/90
