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J-GLOBAL ID：200903065604231329

半導体装置の製造方法

Inventor： 高橋 正志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101029
Publication number (International publication number)：1997289292
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 製造プロセスにおける電極表面の凹凸の形状の変化を抑えて、キャパシタの表面積の増大を図り得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜2を形成する工程と、セルコンタクト3を形成する工程と、第1のポリシリコン膜4を形成する工程と、このポリシリコン膜4に不純物を拡散する工程と、表面に凹凸を有する粗面ポリシリコン膜5を形成する工程と、前記第1のポリシリコン膜4より前記表面に凹凸を有するポリシリコン膜5へ不純物を拡散する工程を順に施す。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法において、(a)層間絶縁膜を形成する工程と、(b)セルコンタクトを形成する工程と、(c)第1のポリシリコン膜を形成する工程と、(d)該第1のポリシリコン膜に不純物を拡散する工程と、(e)表面に凹凸を有するポリシリコン膜を形成する工程と、(f)前記第1のポリシリコン膜より前記表面に凹凸を有するポリシリコン膜へ不純物を拡散する工程を順に施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z