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J-GLOBAL ID：200903065621980238

絶縁膜形成用材料及びそれを用いた絶縁膜

Inventor：
阿出川 豊

About 阿出川 豊


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004007188
Publication number (International publication number)：2005200515
Application date： Jan. 14, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】半導体素子等の層間絶縁膜として、均一な厚さの塗膜が形成可能で、耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、誘電率特性に優れた絶縁膜形成用材料を提供する。【解決手段】式(I)で表わされる繰り返し単位を有する重合体(A)を含有する絶縁膜形成用材料。【化1】 R1〜R7は水酸基、炭化水素基、ディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、炭化水素基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基を表し、X、Y、Zの1つは水酸基を表し、残る2つは異なり、-O-、酸素原子側で連結される式(IB)から選択され、nは1〜10を表す。【化2】 R11〜R14はR1〜R7と同義、R15〜R17は単結合、炭化水素基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、R18は単結合又は-O-、mは0〜10を表す。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(I)で表わされる繰り返し単位を有する重合体(A)を含有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。
IPC (4)：
C09D183/04 ,  C08G77/16 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768
FI (5)：
C09D183/04 ,  C08G77/16 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 V
F-Term (67)：
4J038DL031 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J246AA02 ,  4J246AA03 ,  4J246AB06 ,  4J246AB07 ,  4J246BA120 ,  4J246BA14X ,  4J246BA140 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB20X ,  4J246BB200 ,  4J246BB201 ,  4J246CA12X ,  4J246CA120 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA250 ,  4J246CA260 ,  4J246CA34X ,  4J246CA340 ,  4J246CA350 ,  4J246CA36X ,  4J246CA360 ,  4J246CA390 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246CA44U ,  4J246CA44X ,  4J246CA440 ,  4J246CA570 ,  4J246CA66X ,  4J246CA660 ,  4J246CA800 ,  4J246CB10 ,  4J246FA021 ,  4J246FA151 ,  4J246FA431 ,  4J246FB221 ,  4J246GC02 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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