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J-GLOBAL ID：200903065625305055

マイクロ構造体の形成方法

Inventor： 八木 隆行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125967
Publication number (International publication number)：1995329237
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 マイクロ構造体及び基板の材料が制限されることなく、マイクロ構造体上に電極パターンを形成し、基板との電気的接続が可能なマイクロ構造体の形成方法を提供する。【構成】 第1基板上に樹脂膜よりなる第1犠牲層を形成する工程と、第2基板上に第2犠牲層を介して構造体層を形成する工程と、該第1犠牲層を介して第1基板と構造体層を接着する工程と、前記第2犠牲を除去する工程と、前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程と第1犠牲層を除去する工程を有することを特徴とするマイクロ構造体の形成方法。

Claim (excerpt)：

マイクロ構造体の形成法において、第1基板上に樹脂膜よりなる第1犠牲層を形成する工程、第2基板上に第2犠牲層を介して構造体層を形成する工程、該第1犠牲層を介して第1基板と構造体層を接着する工程、前記第2犠牲層を除去する工程、前記構造体層と第1基板とを接続するための支持層を形成する工程、第1犠牲層を除去する工程を有することを特徴とするマイクロ構造体の形成法。

IPC (6)：

B32B 15/08 ,  C23F 1/00 ,  C23F 4/00 ,  G02B 26/08 ,  H02N 1/00 ,  B05D 7/02