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J-GLOBAL ID：200903065635072164

LB膜を利用した配向性薄膜の形成方法

Inventor： 河本 邦仁 ,  林 紅 ,  菊地 啓
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 加茂 裕邦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994243369
Publication number (International publication number)：1996081762
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【構成】基板と薄膜との間にその中間層としてLB膜を介在させることにより金属等の無機薄膜を形成する方法において、LB膜形成用物質として分子中に疎水性部分及び金属イオンと結合した親水性部分を有する化合物を使用して、LB膜表面の原子間間隔を薄膜形成用材料の原子間間隔と近似させるとともに、該LB膜の最上表面が金属イオンと結合した親水性部分となるよう積層配置させた後、該LB膜の最上表面に無機薄膜を真空蒸着により形成させることを特徴とする配向性無機薄膜の形成方法。【効果】基板と薄膜との間にLB膜を所定の配列で介在させるとともに、薄膜形成材料の格子定数をLB膜表面のそれと近似させることにより、LB膜上に配向性を備えた無機薄膜を形成させることができ、そしてこれは薄膜形成材料の種類及び基板構成材料の種類如何を問わず有効である。

Claim (excerpt)：

基板と薄膜との間にその中間層としてLB膜を介在させることにより金属薄膜を形成する方法において、LB膜形成用物質として分子中に疎水性部分と金属イオンと結合した親水性部分を有する化合物を使用して、LB膜表面の原子間間隔を薄膜形成金属の原子間間隔と近似させるとともに、該LB膜の最上表面が金属イオンと結合した親水性部分となるよう積層配置させた後、該LB膜の最上表面に金属薄膜を真空蒸着により形成させることを特徴とする配向性金属薄膜の形成方法。