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J-GLOBAL ID：200903065654761531

半導体基板の処理システムおよび処理方法

Inventor： 小西 瞳子 ,  伴 功二 ,  浅岡 保宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277555
Publication number (International publication number)：1999121417
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板のウエット洗浄およびエッチングプロセスにおいて、基板表面荒れを防止し歩留まりを向上させる処理システムを得る。【解決手段】 オゾン発生手段11と、このオゾンを半導体基板の処理用の薬液又は純水に溶解させるエジェクタ10と、オゾンが溶解した薬液又は純水に紫外線を照射して薬液又は純水中のオゾンの濃度を制御する紫外線照射手段9と、オゾン濃度が制御された薬液又は純水により半導体基板を処理する処理槽5とを備えた。

Claim (excerpt)：

オゾンを発生させるオゾン発生手段と、このオゾンを半導体基板処理用の薬液又は純水に溶解させるオゾン溶解手段と、上記オゾンが溶解した薬液又は純水に紫外線を照射して上記薬液又は純水中のオゾンの濃度を制御する濃度制御手段と、上記オゾン濃度が制御された薬液又は純水が供給され内部に収納された半導体基板を処理する基板処理槽とを備えたことを特徴とする半導体基板の処理システム。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/304 341 T