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J-GLOBAL ID：200903065664355221

薄膜トランジスタ

Inventor： 国井 正文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102146
Publication number (International publication number)：1993275701
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 LDD構造を有する薄膜トランジスタの水素化処理を効率化する。【構成】 薄膜トランジスタは多結晶半導体層例えばpoly-Si膜2から構成されており、ソース不純物領域3及びドレイン不純物領域4とチャネル領域5の間の少なくと一方に前記不純物領域と同一導電型の低濃度不純物領域即ちLDD領域6を有する。チャネル領域の上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極7が形成されている。ゲート絶縁膜は、ゲート電極7の底面に接する様に設けられた窒化膜8及び酸化膜9を2層以上積層して構成された第1の絶縁領域と、LDD領域6の少なくとも一方の上方に設けられた酸化膜9のみからなる第2の絶縁領域とを備えている。窒化膜8がLDD領域6の上から除去されているので水素化処理が効率的に行なえる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタが、ソース不純物領域及びドレイン不純物領域とチャネル領域との間の少なくとも一方に前記不純物領域と同一導電型の低濃度不純物領域を有する多結晶半導体層と、この多結晶半導体層とゲート電極との間に挟まれたゲート絶縁膜とからなり、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極の底面に接する様に設けられた窒化膜及び酸化膜を2層以上積層して構成された第1の絶縁領域と、前記低濃度不純物領域の少なくとも一方の上方に設けられた酸化膜のみからなる第2の絶縁領域とを備えた事を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 G