Pat

J-GLOBAL ID：200903065664631733

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 野間 崇 ,  篠木 裕之 ,  高井 信行 ,  北川 勝彦 ,  徳重 利洋智 ,  太田垣 貴康 ,  安藤 達也 ,  沖川 満
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (2)： 須藤 克彦 ,  岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003112625
Publication number (International publication number)：2004006820
Application date： Apr. 17, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】ボール状の導電端子を有するBGA(Ball Grid Array)型の半導体装置の低コスト化及び信頼性向上を図る。【解決手段】半導体チップ2の表面に絶縁膜6aが形成され、その絶縁膜6a上に第1の配線5aが形成されている。半導体チップ2の表面には、ガラス基板3が接着され、半導体チップ3の側面及び裏面を絶縁膜16aが覆っている。そして、第1の配線5aの側面に接続され、半導体チップ2の裏面に延在する第2の配線9aが設けられている。さらに、第2の配線9a上にはバンプ等の導電端子8が形成されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体チップの表面に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された第1の配線と、 前記半導体チップの表面に接着された支持基板と、 前記半導体チップの側面及び裏面を覆う第2の絶縁膜と、 前記第1の配線に接続され、前記第2の絶縁膜を介して前記半導体チップの裏面に延在する第2の配線と、 前記第2の配線上に形成された導電端子と、を有することを特徴とした半導体装置。

IPC (1)：

H01L23/12

FI (1)：

H01L23/12 501P