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J-GLOBAL ID：200903065672326044
半導体レーザの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129182
Publication number (International publication number)：1994338661
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 活性層上下及び側面を半導体多層膜ミラーで囲むことにより、光閉じ込め効率を向上させて低閾値電流で大きな光出力の半導体レーザを製造する。【構成】 メサ基板5上に半導体多層膜ミラー6を形成後、725°Cの高温でAlGaAs系のクラッド層7,9と活性層8を成長するとメサ上部の成長層は三角形の断面形状を持つ。さらに、この上へ半導体多層膜ミラー11を成長すると発光部の斜面にミラーが形成される。これにより、活性層8とクラッド層7,9とからなる半導体中間層の上下のみならず側面もミラーで囲み光が閉じ込められるので、発振閾値を低減できる。
Claim (excerpt)：
(100)面を主面とする半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記工程により形成されたメサストライプのある基板上に下部半導体多層膜ミラー、活性層を含む半導体中間層および上部半導体多層膜ミラーを成長する工程とを備え、周りに半導体多層膜ミラーが配置された前記半導体中間層がメサストライプ上部において三角形の断面構造を持つように形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2)：
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