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J-GLOBAL ID：200903065673813089

有機EL素子およびその製造方法

Inventor： 中谷 賢司 ,  荒 健輔 ,  小堀 勇 ,  荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034185
Publication number (International publication number)：1999219789
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 成膜時の有機層への熱的ダメージが少なく、ダークスポットや輝度ムラ等の発光不良の発生がを抑制され、表示品位が高く、製品ごとの陰電極の膜組成のバラツキが少ない有機EL素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の有機EL素子は、Znを1〜30at%含有するMgZn合金の陰電極を有する。この有機EL素子の製造方法は、蒸着源にMgZn合金を用い、有機EL構造体上に前記陰電極を成膜するものとする。

Claim (excerpt)：

Znを1〜30at%含有するMgZn合金の陰電極を有する有機EL素子。

IPC (3)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3)：

H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A