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J-GLOBAL ID：200903065674135505

プラズマディスプレイパネルの製造方法および転写フィルム

Inventor：
吉満 香里

About 吉満 香里

, 
坂井 孝広

About 坂井 孝広


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335806
Publication number (International publication number)：2005258398
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：
【課題】 作業性に優れ、かつパターン形状に優れたPDPの構成要素(例えば、誘電体層、隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス)を好適に形成することができるPDPの製造方法および転写フィルムを提供すること。【解決手段】 基板上に無機粉体含有樹脂層を形成し、当該無機粉体含有樹脂層上に特定の光開始剤を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法と、上記レジスト膜と無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムを提供する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に無機粉体含有樹脂層を形成し、当該無機粉体含有樹脂層上に、下記式(1)および下記式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
IPC (8)：
G03F7/11 ,  G02B5/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/031 ,  G03F7/40 ,  H01J9/02 ,  H01J9/227 ,  H01J11/02
FI (9)：
G03F7/11 503 ,  G02B5/20 101 ,  G03F7/004 512 ,  G03F7/031 ,  G03F7/40 501 ,  G03F7/40 521 ,  H01J9/02 F ,  H01J9/227 E ,  H01J11/02 B
F-Term (54)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB11 ,  2H025AB13 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025CA03 ,  2H025CA07 ,  2H025CA28 ,  2H025CC08 ,  2H025CC20 ,  2H025DA24 ,  2H025DA40 ,  2H025FA29 ,  2H025FA39 ,  2H048BA02 ,  2H048BA45 ,  2H048BA48 ,  2H048BB01 ,  2H048BB02 ,  2H048BB14 ,  2H048BB41 ,  2H096AA27 ,  2H096AA30 ,  2H096BA05 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096HA01 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  5C027AA01 ,  5C027AA05 ,  5C027AA09 ,  5C028FF06 ,  5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GB03 ,  5C040GC19 ,  5C040GD09 ,  5C040GF19 ,  5C040GG09 ,  5C040GH03 ,  5C040GH07 ,  5C040JA09 ,  5C040JA19 ,  5C040KA14 ,  5C040KA16 ,  5C040MA23 ,  5C040MA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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