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J-GLOBAL ID：200903065674846665
フオトマスクおよび投影露光方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329581
Publication number (International publication number)：1993142751
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 製造が容易な補助パターン方式の位相シフト露光用フォトマスクを提供する。【構成】 ホールパターン3およびその周辺の補助パターン4は同程度の寸法となっている。透明層5はホールパターン3と補助パターン4を通る光に230°の位相差を生じさせている。このフォトマスクを用いて、フォトレジストの塗布された半導体基板上に縮小投影露光を行う。ホールパターン3と補助パターン4の寸法は同程度なので、通常焦点位置では補助パターン4までフォトレジストに転写されるが、焦点位置を半導体基板をフォトマスクから遠ざける方向にずらすことによりホールパターン3のみをより強調して解像させることができる。
Claim (excerpt)：
透明基板上に、遮光領域と透明領域とからなるパターンを形成したフォトマスクであって、第1の透明領域周辺に、露光装置の解像限界以上の寸法をもつ第2の透明領域を形成し、前記第1の透明領域及び第2の透明領域のどちらか一方に透明膜を形成し、前記第1の透明部と第2の透明部を透過する露光光に120°から170°あるいは190°から270°の位相差をもたせたものであることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 L
