Pat
J-GLOBAL ID：200903065685280973

レジスト下層膜用組成物およびその製造方法

Inventor：
西川 通則

About 西川 通則

, 
杉田 光

About 杉田 光

, 
川邊 謙一

About 川邊 謙一

, 
山田 欣司

About 山田 欣司

, 
齊藤 明夫

About 齊藤 明夫

, 
大田 芳久

About 大田 芳久


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197302
Publication number (International publication number)：2001022083
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】レジストとの密着性に優れ、現像液に対する耐性に優れ、レジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】(A)R1aSi(OR2)4-a(1)(R1は水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2を表す。)及びR3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c(2)(R3、R4、R5及びR6は、それぞれ1価の有機基を示し、b及びcは、0〜2を示し、R7は酸素原子又は-(CH2)n-を示し、dは0又は1を示し、nは1〜6を示す。)からなる群より選ばれる化合物の加水分解物及び又は縮合物と(B)溶剤R8O(CHCH3CH2O)eR9(3)(R8及びR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はCH3CO-から選ばれる基を示し、eは1〜2を表す。)ならびに(C)光照射及び/又は加熱により酸を発生する化合物を含有する。
Claim (excerpt)：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物およ縮合物もしくはいずれか一方、(B)下記一般式(3)で表される溶剤R8O(CHCH3CH2O)eR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、eは1〜2の整数を表す。)ならびに(C)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
IPC (5)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/30 574
F-Term (15)：
2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA11 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025BE00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025DA25 ,  2H025DA34 ,  2H025DA35 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  5F046NA07 ,  5F046PA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM