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J-GLOBAL ID：200903065692100166

誘電層のエッチング方法

Inventor： ブライアン プー ,  ホンチン シャン ,  マイケル ウェルチ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997112887
Publication number (International publication number)：1998041274
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高エッチング選択率、低エッチング速度マイクロローディング、高エッチング速度の誘電層のエッチング。【解決手段】プロセスガスは、(i)誘電層(20)にエッチングを施し、基板(25)上にパッシベーション堆積物(46)を形成するためのフルオロカーボンガスと、(ii)パッシベーション堆積物(46)の形成を促進する炭素-酸素ガスと、(iii)基板(25)に形成されたパッシベーション堆積物(46)にエッチングを施すための窒素含有ガスとを具備する。フルオロカーボンガス:炭素-酸素ガス:窒素含有ガスの体積流量比は、誘電体とレジストのエッチング選択率比が少なくとも10:1、エッチング速度マイクロローディングが10%未満、誘電体エッチング速度が少なくとも約100nm/分となるように選択される。

Claim (excerpt)：

(a)レジスト材料を自身の上に有する誘電層を備える基板を、プロセスゾーンに配置するステップと、(b)(i)誘電層にエッチングを施するための、また前記基板上にパッシベーション堆積物を形成するための、フルオロカーボンガスと、(ii)前記パッシベーション堆積物の形成を促進するための炭素-酸素ガスと、(iii)前記基板上に形成されたパッシベーション堆積物の少なくとも一部にエッチングを施すための窒素含有ガスとを備えるプロセスガスを、前記プロセスゾーン内に導入し、該プロセスガスからプラズマを生成するステップとを有するエッチング方法。