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J-GLOBAL ID：200903065697614842

半導体装置の洗浄方法及びその装置

Inventor： 大西 照人 ,  矢野 航作 ,  野村 登 ,  遠藤 政孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994047297
Publication number (International publication number)：1994333898
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 時間が経過しても洗浄液が劣化しないような半導体基板の洗浄方法を提供する。【構成】 半導体基板の表面を、半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物を除去する硫酸及び過酸化水素水と、半導体基板の表面を極微量だけエッチングすることにより半導体基板の表面に残存する残渣及びパーティクルを除去するフッ素を生成するフルオロ硫酸と、水とが含有されている洗浄液によって洗浄する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物を除去する強酸及び酸化剤と、半導体基板の表面を極微量だけエッチングすることにより半導体基板の表面に残存する残渣及びパーティクルを除去するフッ素を生成するフルオロ硫酸又は二弗化スルフリルよりなるフッ素含有化合物と、水とを含有する洗浄液によって半導体基板の表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306