半導体集積回路装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002342152
Publication number (International publication number)：2004179297
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】銅系の導電材料からなる埋め込み配線を有する半導体集積回路装置における埋め込み配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】埋め込み配線15の主導電層となるCu膜を形成するCu結晶粒のうち、結晶面が(111)配向となっているCu結晶粒の占有率が約35%以下となり、結晶面が(100)配向となっているCu結晶粒の占有率が約20%以上となり、配線溝14の幅が約4μm以上の場合にCu結晶粒の平均結晶粒径が約2μm以上となるようにCu膜を形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面上に形成された絶縁膜に形成された溝部と、前記溝部内に銅を主成分とする導電性膜を埋め込むことで形成された配線とを有する半導体集積回路装置であって、前記導電性膜を形成する結晶のうち、前記配線の表面において結晶面が(111)となる第1配向結晶の前記配線中での占有率が50%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088

FI (3)：

H01L21/90 A , H01L21/88 M , H01L27/08 102D

F-Term (86)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033LL07 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP17 , 5F033PP23 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033QQ93 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT03 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX13 , 5F033XX19 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F048AA01 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BG13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開平4-229626

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