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J-GLOBAL ID：200903065709144480

磁気記憶素子及びその記録方法、並びに磁気記憶装置

Inventor： 大森 広之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002333801
Publication number (International publication number)：2004172218
Application date： Nov. 18, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】小さい磁界で記録することができ、情報を安定して保持することができる磁気記憶素子及びその記録方法、並びにこの磁気記憶素子を備えて駆動回路を簡略化することができる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】記憶層13・非磁性層14・磁化固定層15が積層されて成り、記憶層13が遷移金属TMを主成分とする第1の磁性層11と、希土類金属REを主成分とする第2の磁性層12とが直接積層されて構成され、室温状態において第1の磁性層11の磁化の量が第2の磁性層12の磁化の量よりも小さい磁気記憶素子を構成する。また、この磁気記憶素子の記憶層に対して、加熱と磁界印加により一方の向きの磁化状態を記録し、加熱により第1の磁性層及び磁化固定層に磁気結合を作用させて他方の向きの磁化状態を記録する。さらに、この磁気記憶素子と、記憶層と磁化固定層との相対磁化を読み出す手段と、記憶層に対して一方の向きの電流磁界を印加する配線と、記憶層を加熱する加熱手段とを備えた磁気記憶装置を構成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

磁化状態を情報として保持する記憶層、非磁性層、並びに磁化の向きが固定された磁化固定層が積層されて成り、 上記記憶層は、遷移金属を主成分とする第1の磁性層と、希土類金属を主成分とする第2の磁性層とが直接積層されて構成され、室温状態において上記第1の磁性層の磁化の量が上記第2の磁性層の磁化の量よりも小さい ことを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (3)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 U ,  H01L43/08 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05