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J-GLOBAL ID:200903065726318727

超電導磁石装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996108635
Publication number (International publication number):1997271469
Application date: Apr. 05, 1996
Publication date: Oct. 21, 1997
Summary:
【要約】【課題】広い開口を備え、磁場漏洩が少なく、高い磁場強度をもち、時間的に安定で、かつ、広い均一磁場領域が得られる超電導磁石装置を低廉な製造原価で提供することを目的とする。【解決手段】均一磁場領域(28)を挾んで等距離に対向して配置された冷却容器(23)内に収納された2組の超電導コイル(22)を備え、冷却容器(23)の周囲を外部強磁性体(29〜31)で囲んだ構成の超電導磁石装置(21)において、冷却容器(23)内の超電導コイル(22)の近傍に円板状内部強磁性体(26)を配置することにより、超電導コイル(22)が均一磁場領域(28)に発生する磁場の分布を補正することができるようにしたものである。
Claim (excerpt):
超電導特性を有する物質から構成され、有限の領域に第1の方向に向かう均一磁場を発生させるための電流を流す静磁場発生源2組が、該静磁場発生源を超電導特性を示す温度まで冷却し、維持するための冷却容器に1組ずつ収容されて、前記均一磁場領域を間に挾んで対向して配置され、外部への漏洩磁場を抑制するために前記冷却容器の周囲に強磁性体で構成された外部強磁性体群が配置され、前記均一磁場領域の周囲の前記第1の方向に直交する方向に少なくとも1箇所以上の開放面を有する超電導磁石装置において、前記冷却容器の内部の前記静磁場発生源の近傍に、強磁性体からなる1個以上の内部強磁性体(以下、内部強磁性体群という。)を配置することにより、前記均一磁場領域の内部の磁場分布を補正することを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (3):
A61B 5/055 ,  G01R 33/3815 ,  H01F 6/00 ZAA
FI (3):
A61B 5/05 332 ,  G01N 24/06 510 C ,  H01F 7/22 ZAA A

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