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J-GLOBAL ID:200903065735569783

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 土井 育郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000213721
Publication number (International publication number):2002033345
Application date: Jul. 14, 2000
Publication date: Jan. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 モールド時に端子面に樹脂の薄バリが発生しないようにする。【解決手段】 リードフレーム3における吊りリードで支持されたダイパッド3上に半導体素子4を搭載し、半導体素子4の上面の電極とリードフレーム1の端子部5とをワイヤーボンディングした後、個々の半導体素子4を個別にモールドしてから、金型により個々の半導体装置に打ち抜くことにより樹脂封止型半導体装置を製造する方法において、モールド工程の前に端子部5の裏面に樹脂テープ10を貼り付けておき、モールド工程の後で樹脂テープ10を除去する。モールド時に端子部5の裏面側に樹脂が入り込まないので、端子部5の裏面に薄バリを生じることがなく、従来行っていたバリ取りの工程を行わなくても、実装時における良好な半田メッキ性を確保することができる。
Claim (excerpt):
リードフレームにおける吊りリードで支持されたダイパッド上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの端子部とをワイヤーボンディングした後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個々の半導体装置に打ち抜くことにより樹脂封止型半導体装置を製造する方法において、モールド工程の前に端子部の裏面に樹脂テープを貼り付けておき、モールド工程の後で樹脂テープを除去することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/56 ,  B26F 1/00 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/50
FI (4):
H01L 21/56 T ,  B26F 1/00 H ,  H01L 23/50 U ,  H01L 21/78 F
F-Term (16):
3C060AA20 ,  3C060BF01 ,  3C060BH01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061EA03 ,  5F067AA01 ,  5F067AA09 ,  5F067AB03 ,  5F067BB04 ,  5F067BE00 ,  5F067DA16 ,  5F067DE14 ,  5F067DF03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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