Pat

J-GLOBAL ID：200903065737809757

希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法及びレントゲンコンピューター断層撮影用セラミック体

Inventor： ユルゲン レパート ,  ヴォルフガング ロスナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184740
Publication number (International publication number)：1994206769
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高エネルギーの放射線、例えばレントゲン線、ガンマー線及び電子線の検出のための非単結晶材料のシンチレーター体の製造法の提供。【構成】 希土類-オキシスルフィドのシンチレーターセラミックを製造するために、一般的な組成式(M1-xLnx)2O2S[式中、MはY、La及びGdの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、LnはEu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm及びHoの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、かつxは1×10~6≦×≦2×10~1の範囲である]を有し、かつBETによる比表面積少なくとも10m2/gを示す顔料粉末を一軸ホットプレスにより圧縮成形して理論密度の少なくとも99.9%の密度を有する半透明のセラミック体とする。

Claim (excerpt)：

希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックを製造する際に、一般的な組成式(M1-xLnx)2O2S[式中、Mは、Y、La及びGdの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、LnはEu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm及びHoの群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、かつxは1×10~6≦×≦2×10~1の範囲である]の顔料粉末を準備し、この粉末はBETによるガス吸着法により決定した表面積少なくとも10m2/gを示し、かつこの粉末を一軸ホットプレスにより圧縮成形して理論密度の少なくとも99.9%の密度を有する半透明のセラミック体とすることを特徴とする希土類-オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法。

IPC (5)：

C04B 35/50 ,  A61B 6/00 300 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/84 CPD ,  G01T 1/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-243686
  
• 特開昭61-127670
  
• 特開平2-229764
  
• 特開昭62-275072