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J-GLOBAL ID：200903065743750195

レジストパターン形成方法

Inventor： 田中 稔彦 ,  森上 光章 ,  渡邊 健夫 ,  東川 巌
Applicant, Patent owner： 株式会社ソルテック
Agent (1)： 吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992146873
Publication number (International publication number)：1994163391
Application date： May. 13, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンを形成する場合に、パターン倒れの発生を有効に防止せんとするものである。【構成】 レジストパターン2a、2b現像時のリンス工程で、乾燥時に揮発して基板上に残らない界面活性剤を含むリンス液5を用いて、リンス処理を行なう。

Claim (excerpt)：

レジストパターン現像時のリンス工程で、乾燥時に揮発して、レジストパターンの形成されるべき基板上には残らない界面活性剤が含まれるリンス液を用いて、リンス処理を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-043826
  
• 特開平3-215867
  
• 特開昭62-187347
  
• 特開平3-182756