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J-GLOBAL ID：200903065745498337

短波長発光素子

Inventor： 倉又 朗人 ,  山崎 進 ,  篠原 宏爾 ,  堀野 和彦 ,  菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993278658
Publication number (International publication number)：1995131118
Application date： Nov. 08, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 III-V族半導体を基板材料や電極コンタクト材料とするII-VI族化合物半導体系短波長半導体レーザに関し、電極部分での電圧降下を小さくし、活性層、ガイド層とクラッド層とのバンドギャップ差を大きくして閉じ込めを良くすること。【構成】活性層46を挟むCdx Zn1-x S y Se1-y 四元混晶からなるガイド層45,47と、Mg x'Zn1-x'S y'Se1-y' 四元混晶からなり、かつ前記ガイド層45,47の上下面のうちの前記活性層46と反対側の面上に形成されるクラッド層44,48と、前記クラッド層44,48の上下面のうちの前記ガイド層45,47と反対側の面上に形成され、かつ、エネルギーバンドギャップが前記活性層46から遠ざかるにつれて段階的又は連続的に小さくなるヘテロバリア緩和層50と、前記ヘテロバリア緩和層50に直接又はIII-V族半導体層51を介して接続される電極54とを含む。

Claim (excerpt)：

II-VI族半導体からなる活性層(6)と、前記活性層(6)を挟むII-VI族半導体からなるガイド層(5,7)と、前記ガイド層(5、7)の上下面のうちの前記活性層(6)と反対側の面上に形成され、II-VI族半導体からなるクラッド層(4,8)と、少なくとも一方の前記クラッド層(4,8)の上下面のうちの前記ガイド層(5,7)と反対側の面上に形成され、かつ、エネルギーバンドギャップが前記活性層(6)から遠ざかるにつれて段階的又は連続的に小さくなるヘテロバリア緩和層(9)と、前記ヘテロバリア緩和層(9)に直接又はIII-V族半導体層(10)を介して接続される電極(13)とを有することを特徴とする短波長発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00