Pat

J-GLOBAL ID：200903065771620442

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： 長井 英一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087110
Publication number (International publication number)：1993291550
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、フローティング拡散層の容量を小さくし、低照度時などの信号電荷が小さいときにおける感度を上昇させ、画質の向上を実現することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】CCDの最終段である出力ゲート14に隣接するp型シリコン基板10表面に、n- 型低濃度不純物領域16aとその中央部に設けられたn+ 型高濃度不純物領域16bとを有するFD層16が形成されている。このFD層16、n+ 型ドレイン層18、これらの間のn- 型チャネル層20上にゲート絶縁膜22を介してリセットゲート24を有するリセットMOSトランジスタが形成されているが、n- 型チャネル層20とn- 型低濃度不純物領域16aとの不純物濃度が同じであるため一体として形成されている。FD層16のn+ 型高濃度不純物領域16bが増幅MOSトランジスタ26のゲートに接続されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜を介してアレイ状に配置され、前記半導体基板表面の電荷を転送する複数個の電荷転送ゲートと、前記電荷転送ゲートの最終段の出力ゲートに隣接して前記半導体基板表面に設けられ、前記電荷転送ゲートによって転送された電荷を蓄積するフローティング拡散層と、前記フローティング拡散層と相対して設けられたドレイン層と、前記フローティング拡散層と前記ドレイン層とに挟まれたチャネル層上に、ゲート絶縁膜を介して設けられ、前記フローティング拡散層に蓄積された電荷を流出させるリセットゲートと、前記フローティング拡散層に接続され、前記フローティング拡散層に蓄積された電荷による信号を増幅して出力信号を取り出す増幅トランジスタとを有する固体撮像装置において、前記フローティング拡散層の不純物濃度が、前記ドレイン層の不純物濃度よりも低濃度であることを特徴とする固体撮像装置。